氮化镓衬底晶片 4英寸GaN氮化镓衬底片

苏州恒迈瑞材料科技作为氮化镓衬底晶片（GaN氮化镓衬底片）的专业生产厂家，可提供4英寸蓝宝石氮化镓晶片，衬底结构为GaN-On-Sapphire. GaN氮化镓层厚度为4.5um及20um，蓝宝石衬底厚度为650um。氮化镓晶片掺杂类型主要分为非掺杂，硅掺杂，包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。由于禁带宽度大、导热率高，GaN氮化镓材料器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；其较大的禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利于提升器件整体的能效；且电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。

氮化镓GaN衬底片
尺寸：4 inch 100mm±0.1mm
蓝宝石衬底厚度：650um
衬底结构：GaN-On-Sapphire
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/
氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°
位错密度：≤5x108cm-2
包装方式：晶圆盒或Cassette盒
抛光要求：单抛/双抛

 

4英寸氮化镓衬底晶片规格


GaN氮化镓是第三代半导体材料，相比于第一代的硅（Si）以及第二代的GaAs等，它具备比较突出的优势特性。由于禁带宽度大、导热率高，GaN氮化镓材料制作的器件可在200℃以上的高温下工作，能够承载更高的能量密度，可靠性更高；较大禁带宽度和绝缘破坏电场，使得器件导通电阻减少，有利与提升器件整体的能效；电子饱和速度快，以及较高的载流子迁移率，可让器件高速地工作。利用GaN氮化镓人们可以获得具有更大带宽、更高放大器增益、更高能效、尺寸更小的半导体器件。