氮化镓晶片 蓝宝石氮化镓衬底晶片

苏州恒迈瑞材料科技作为氮化镓衬底晶片（GaN氮化镓衬底片）的专业生产厂家，可提供2英寸氮化镓晶片，衬底结构为GaN-On-Sapphire. GaN氮化镓层厚度为4.5um及20um，蓝宝石衬底厚度为430um。蓝宝石氮化镓晶片掺杂类型主要分为非掺杂，硅掺杂及镁掺杂，包装方式为单个晶圆盒或Cassette盒。

氮化镓衬底晶片参数：
尺寸：2 inch 50.8mm±1mm
蓝宝石衬底厚度：430um
衬底结构：GaN-On-Sapphire
掺杂类型：N型非掺杂/N型硅掺杂/P型镁掺杂
氮化镓外延厚度：4.5um±0.5um/ 20um±2um
晶向：C-plane(0001)A Axis 0.2±0.1°
位错密度：≤5x108cm-2
包装方式：晶圆盒或Cassette
抛光要求：单抛/双抛

 

2英寸氮化镓晶片规格


GaN氮化镓材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。它具有宽的直接带隙、强的原子键、高的热导率、化学稳定性好（几乎不被任何酸腐蚀）等性质和强的抗辐照能力，在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。